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电荷稳定了TaON中的氧抗位点缺陷，年和年便以及Ta3N5中的氧杂质缺陷，这与这些材料倾向于进行氧化分解，重整形成氧化物如Ta2O5相一致。此外，巴菲比去在典型的光催化操作条件下，TaON中的ON位点缺陷具有较低的形成能。

在这项工作中，特共第一原理模拟用于预测原型（氧）氮化物光催化剂TaON和Ta3N5中氮和氧阴离子空位的竞争稳定性和迁移率。

然而，进午对于氮抗位点缺陷来说，情况永远不会如此，随着电荷状态的增加，这会越来越不利。元今宜（7）锂离子电池和染料敏化太阳能电池的集成器件。

年和年便图6.BFCNG集成器件（a）BFCNG集成器件的三维示意图。巴菲比去（d）装配有LIB腰带的光学照片。

特共（d）瞬态电流响应特性曲线和相应的偏压变化曲线。进午（e）不同材料体系能量密度和功率密度对比图。